 |
儀器管理委員：蘇俊榮 教授
(TEL：03-5712121-55602、56150)
(Mail：cjsu@nycu.edu.tw)
|
儀器資訊:
1.廠牌型號: UNITEMP RTP-200
2.購置年限: 2026年3月
3.放置地點: 固態電子系統大樓 1 樓129實驗室 (TEL：55616)
4.功能:
(1).本設備有兩個製程腔體，依應用分為前段腔體與後段腔體。
(2).前段腔體 : 離子佈植後退火、快速熱氧化 (RTO)、快速熱氮化 (RTN)、薄膜緻密化
(3).後段腔體 : 矽化物形成 (Silicide)、金屬燒結與介面改質 (Sintering)。
5.重要規格:
(1).樣品尺寸:破片至8吋晶圓。
(2).加熱能力:快速紅外線燈管加熱，溫度範圍RT~1100℃。
(3).升溫速率與最高溫度限制:使用載盤，最大升溫速率為40℃/秒 (RT至800℃)，最高溫度1100℃。直接使用8吋晶圓，最大升溫速率為100℃/秒 (RT至1000℃)，最高溫度1000℃。
(4).持溫限制:
a.1000~1100℃ ，不可超過30sec。
b.600~999 ℃，不可超過120sec。
c.600℃以下 ，不可超過600sec。
(5).可通入氣體 : N2、Ar、O2、NH3、5%H2/N2。
(6).溫度均勻性(溫度標準變異值) ≦1.5%。
(7).測溫元件:N-type Thermocouple (熱電偶)
(8).僅使用乾式幫浦，極限壓力可達10-3 hpa。同時啟用乾式幫浦及分子渦輪幫浦，極限壓力可達10-6 hpa
6.儀器可使用之特殊製程材料。
注意事項:
1.本設備需通過考核後使用。
2.基板與材料限制:
(1).前段腔體(A)限使用Si、Ge、SiC基板。
(2).前段腔體(B)限使用Si、Ge、SiC、Sapphire基板。
(3).進前段腔體之試片上不得有金屬及高分子材料或經過後段製程，並須先進行RCA clean。
(4).前段與後段之試片上均不得有Au、Ag、Cu、Fe及高分子材料。
自行操作儀器:
1.需已擁有Wet Bench使用權限才可申請使用快速退火系統。
2.取得儀器使用權限說明:
4.有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約登記使用。
(1).國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 (取得序號)
(2).奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約)
委託操作儀器:
1.有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載RTP委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
2.無國科會計畫者，請直接下載RTP委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
收費資訊:
1.貴儀核可項目，有貴儀帳號者請上網預約，無貴儀帳號者請現金付費。
2.收費方式:
(1).自行操作:收取開機費+使用費+抽真空費
(2).委託操作:收取開機費+使用費+抽真空費+代工費
4.費用如下表:
(1).計畫定價:
| 學校、研究單位、營利事業單位 | |
| 代工費(元/次) | 900 |
| 開機費(元/次) | 200 |
| 使用費(元/分) | 5 |
| 抽真空費(元/次) | 200 |
(2).非計畫定價:
| 學校單位 | 研究單位 | 營利事業單位 | |
| 代工費(元/次) | 900 | 900 | 900 |
| 開機費(元/次) | 200 | 1000 | 2000 |
| 使用費(元/分) | 10 | 30 | 50 |
| 抽真空費(元/次) | 200 | 200 | 200 |
申訴電話:
1.徐忠璇小姐 TEL：03-5712121轉31534、31248，03-5131534 (Mail：jsshiu1207@nycu.edu.tw)
2.賴卓君小姐 TEL：03-5712121轉31775，03-5731775 (Mail：cclai0225@nycu.edu.tw)
3.專線電話：TEL：03-6116690