儀器設備管理人員：賴玟言先生
(TEL：03-5712121-55668、55616)
儀器管理委員：劉柏村 教授
(TEL：03-5712121-52994)
儀器資訊:
1.廠牌型號: SJ-10301001-1
2.購置年限: 2014年12月28日
3.放置地點: 固態電子系統大樓 1樓127實驗室　(TEL：55616) 
4.功能:
(1).腔體（chamber)：6″，均溫區長度600mm
(2).真空：5*10-3 Torr
(3).溫度：POLY-Si-620°C，Si3N4-800°C，TEOS-700°C
5.重要規格:
(1).多晶矽沉積摻雜磷化氫(Poly-Si in-situ PH3):
溫度：585°C
氣體：SiH4，PH3
壓力：500mtorr
(2).多晶矽及非晶矽的沈積(poly-Si & amorphous-Si)，矽鍺沉積(SiGe):
溫度：620°C/550°C
氣體：SiH4，GeH4
壓力：300mtorr
(3).氮化矽的沈積(Si3N4):
溫度：800°C/850°C
氣體：SiH2Cl2，NH3
壓力：120mtorr
(4).TEOS的沈積:
溫度：700°C
氣體：TEOS
壓力：120mtorr
6.儀器可使用之特殊製程材料。
自行操作儀器:
1.需已擁有Wet Bench使用權限才可申使用LPCVD系統。
2.取得儀器使用權限說明:
(1).白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)
(2).24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)
(3).注意事項 (務必詳讀，以免損失自身權益)
4.有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用:
(2).奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約)
委託操作儀器:
1.有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 預約並取得預約編號，再下載LPCVD委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
2.無國科會計畫者，請直接下載LPCVD委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
收費資訊:
1.貴儀核可項目，有貴儀帳號者請上網預約，無貴儀帳號者請現金付費。
2.收費方式:
(1).自行操作:收取開機費+製作費
(2).委託操作:收取開機費+製作費+代工費
3.費用如下表:
(1).計畫定價:
項目 學校單位 研究單位 營利事業單位
代工費 900 900 900
A爐 Poly-Si開機費(元/次) 110 230 230
Poly-Si(SiH4製程in-situ PH3製程)製作費(元/次) 25 25 25
B爐 Poly-Si開機費(元/分) 110 230 230
Poly-Si(SiH4製程)製作費(元/次) 25 25 25
C爐 Si3N4開機費(元/次) 110 230 230
Si3N4(low stress 溫度850°C)(元/分) 35 60 60
Si3N4(一般製程溫度800°C)(元/分) 25 25 25
D爐 TEOS開機費(元/次) 110 230 230
TEOS製作費(元/分) 25 25 25
(2).非計畫定價: 
項目 學校單位 研究單位 營利事業單位
代工費 900 900 900
A爐 Poly-Si開機費(元/次) 220 2200 2200
Poly-Si(SiH4製程in-situ PH3製程)製作費(元/次) 35 115 115
B爐 Poly-Si開機費(元/分) 220 2200 2200
Poly-Si(SiH4製程)製作費(元/次) 35 115 115
C爐 Si3N4開機費(元/次) 220 2200 2200
Si3N4(low stress 溫度850°C)(元/分) 60 270 270
Si3N4(一般製程溫度800°C)(元/分) 40 160 160
D爐 TEOS開機費(元/次) 220 2200 2200
TEOS製作費(元/分) 35 115 115
申訴電話:
1.徐忠璇小姐   TEL：03-5712121轉31534、31248，03-5131534 (Mail：jsshiu1207@nycu.edu.tw )
2.賴卓君小姐  TEL：03-5712121轉31775，03-5731775 (Mail：cclai0225@nycu.edu.tw)
3.專線電話： TEL：03-6116690