儀器設備管理人員：胡進章 先生
(TEL：03-5712121-55607 / 55666)
儀器設備管理人員：李正維 先生
(TEL：03-5712121-55660 / 55666)
儀器管理委員：崔秉鉞 教授 
(TEL：03-5712121-31570)
儀器資訊:
1.廠牌型號: 日本SamCo公司製造 RIE-400iP。
2.購置年限: 2019年3月4日。
3.放置地點: 固態電子系統大樓 1樓121實驗室  (TEL：55610)。   
4.功能:乾式蝕刻，蝕刻碳化矽(SiC)為主，特殊時機可以蝕刻介電質(SiO2、Si3N4)材料，4″ wafer為主。
5.重要規格:本蝕刻系統可通入C4F8、O2、SF6、CHF3等氣體蝕刻碳化矽(SiC)及介電質(SiO2、Si3N4)。
6.儀器可使用之特殊製程材料。
注意事項:
1.材料限制：
(1).限碳化矽(SiC)基板與Si基板。
(2).試片上不得有摻雜金屬元素或鍍有金屬薄膜。
(3).試片不得經過後段製程機台。
2.請詳細說明基板上含何種物質(如Poly-Si、SiO2、Si3N4、光阻等)，以及是否要清洗晶片。
3.蝕刻若無特別要求，一律按中心標準製程參數為之。
自行操作儀器:
1.取得儀器使用權限說明:
(1).白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)
(2).24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)
(3).注意事項 (務必詳讀，以免損失自身權益)
(4).RIE-400iP儀器操作規範&考核記錄表
3.有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用:
(2)奈米中心儀器預約系統  (使用時段預約)
委託操作儀器:
1.有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載HDP-RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
2.無國科會計畫者，請直接下載HDP-RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
收費資訊:
1.貴儀核可項目，有貴儀帳號者請上網預約，無貴儀帳號者請現金付費。
2.收費方式:
(1).自行操作:收取使用費
(2).委託操作:收取使用費+代工費
3.費用如下表:
(1).計畫定價:
 學校單位 研究單位 營利事業單位
代工費 (元/2小時)
 900 900 1200
使用費(元/時) 介電蝕刻(SiC) 360 360 360
(2).非計畫定價: 
 學校單位 研究單位 營利事業單位
代工費 (元/2小時)
 900 900 1200
使用費(元/時) 介電蝕刻(SiC) 3600 3600 5200
申訴電話:
1.徐忠璇小姐   TEL：03-5712121轉31534、31248，03-5131534 (Mail：jsshiu1207@nycu.edu.tw )
2.賴卓君小姐  TEL：03-5712121轉31775，03-5731775 (Mail：cclai0225@nycu.edu.tw)
3.專線電話： TEL：03-6116690